테라비트급 메모리 소자 개발
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작성일 23-02-03 18:57
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권건호기자 wingh1@etnews.co.kr
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개발된 Po램은 상하 전극 사이에 전도성 유기물을 장착한 하나의 저항 구조를 가지며, 가장 작은 면적에 집적해 메모리 셀을 구현할 수 있는 차세대 테라비트급 메모리 소자다.
Po램은 플래시 메모리를 대체할 것으로 기대되며 인공지능 CPU, 유연하고 입을 수 있는 반도체, 초고속 반도체 등을 비롯해 디지털TV와 디지털 캠코더, 휴대전화 등 메모리 소자로 응용할 수 있어 future(미래) 성장동력으로 꼽히고 있다
다.
연구팀은 Po램 셀 상용화에 성공하면 사업화 예상 연도인 2015년에 연간 24억달러 이상의 매출이 발생할 것으로 展望했다.
박 교수는 “Po램 구조를 이중으로 적층해 8레벨 이상의 다중레벨 셀 동작을 구현했다”면서 “적층된 소자 구조로 테라비트급 집적도를 쉽게 향상 시킬 수 있는 테라비트급 유기 메모리를 개발했다는데 의미가 크다”고 덧붙였다.
테라비트급 메모리 소자 개발
박 교수는 “기존 메모리 단점을 improvement하기 위해 나노 스케일 구조 및 온도 change(변화)에 따른 소자의 전기적 特性 change(변화)를 分析, 소자의 동작 메커니즘을 세계 최초로 규명했다”면서 “특히 니켈 나노 크리스탈을 유기물 내에 장착하여 10만초 이상의 정보저장 시간과 1000회 이상의 읽기·쓰기 반복 횟수를 구현해 상용화 가능성을 증명했다”고 설명(explanation)했다.
연구팀은 이번 연구와 관련해 국내 및 미국, Japan 등에 4건의 특허를 출원했으며, 국내에서 이미 1건을 등록했다. 연구결과는 나노 분야 국제 학술지 ‘나노 레터스(Nano Letters)’ 4월9일자에 게재된다.
기존 플래시 메모리는 다양한 모바일 제품 등에 사용되고 있으나 데이터 저장시간이 너무 길다는 단점이 있었다.순서
테라비트급 메모리 소자 개발
테라비트급 메모리 소자 개발
국내 연구진이 플래시메모리를 대체할 비휘발성 메모리 기술을 개발했다.
테라비트급 메모리 소자 개발
한양대 박재근 교수팀은 플래시메모리 단점을 보완한 차세대 테라비트급 비휘발성 유기 메모리 (Po램) 셀을 개발했다고 8일 밝혔다.
